Aşqarlarlanmış yarımkeçiricilər laboratoriyası

Tel. (+994 12) 5393218  
Faks (+994 12) 5395961  
Elektron poçtu zangi@physics.ab.az 
Struktur bölmənin rəhbəri Hüsnü Xəlil oğlu Əjdərov 
İşçilərin ümumi sayı
Əsas fəaliyyət istiqamətləri  Aşqarlanmış almazabənzər yarımkeçiricilərin elektron xassələri və texnologiyası. 
Əsas elmi nəticələri

Aşqar atomlarını əhatə edən nanohəcmlərin tərkibi və strukturu ilə yarımkeçirici bərk məhlul kristallarının elektron xassələri arasındakı əlaqələr aşkar edilib və araşdırılıb.

Germanium-silisium kristalları sistemində geniş sayda dərin və dayaz aşqar atomlarının əsas enerji hallarının spektri təyin edilib.

Geniş temperatur intervalında Ge-Si sistemində elektron və deşiklərin əsas səpilmə mexanizmləri və qanunauyğunluqları öyrənilib.

Yarımkeçirici bərk məhlul sistemlərinin verilmiş tərkibdə alınması, onların müxtəlif aşqar elementlərlə leqinə edilmə texnologiyaları və bu məsələlərin fiziki-riyazi əsasları geniş inkişaf etdirilib.

Almazabənzər A3B5 kristallarında uzununa maqnit sahəsinin ultrakvant rejimində böyük neqativ maqnit müqaviməti müşaidə edilib və nəzəri araşdırılıb.

Laboratoriyada yerinə yetirilən iki fəlsəfə doktoru dissertasiyaları (mürəkkəb aşqarlanmış Ge-Si kristallarının alınmasına və elektron hassələrinin tədqiqinə həsr edilən) Almaniyanın “Lambert Academic Publishing” nəşriyatında 2013 ildə monografiya statusunda çap olunub.