Əjdərov Hüsnü-Cəngi Xəlil oğlu
| Anadan olduğu yer | Azərbaycan Respublikası, Gəncə şəhəri |  |
| Təvəllüdü | 12.02.1941 | |
| Bitirdiyi ali təhsil müəssisəsi | Azərbaycan Dövlət Universiteti | |
| Elmi dərəcəsi | Fizika - riyaziyyat elmləri doktoru | |
| Elmi rütbəsi | Professor | |
| Namizədlik (PhD) dissertasiyasının mövzusu:
- ixtisas şifri - ixtisasın adı - mövzunun adı |
01.04.10 Yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası “Germanium-silisium bərk məhlul monokristallarında dərin aşqar səviyyələrin tədqiqi” |
|
| Doktorluq dissertasiyasının mövzusu:
- ixtisas şifri - ixtisasın adı - mövzunun adı |
01.04.10 Yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası “Aşqarlanmış germanium-silisium bərk məhlulları və A3B5 birləşmələri kristallarının qalvanomaqnit xassələri və əsas aşqar səviyyələrin enerji spektri” |
|
| Çapdan çıxmış elmi əsərlərinin ümumi sayı
- xaricdə çıxmış elmi əsərlərinin sayı - beynəlxalq bazalarda referatlaşdırılan və indeksləşdirilən jurnallarda çap olunan məqalələrin sayı |
167
84 37 |
|
| Müəlliflik şəhadətnamələrinin və patentlərin sayı | 3 | |
| Kadr hazırlığı:
- fəlsəfə doktorlarının sayı - elmlər doktorlarının sayı |
7 2 |
|
| Əsas elmi nailiyyətləri | Germanium-silisium kristallarında geniş sayda dərin və dayaz aşqar atomlarının əsas enerji hallarının spektri təyin edilib.Geniş temperatur intervalında Ge-Si sistemində sərbəst elektrik yük daşıyıcılarının səpilmə mexanizmləri və qanunauyğunluqları öyrənilib. Aşqar atomlarını əhatə edən nanohəcmlərin tərkibinin qeyri identivliyi ilə əlaqəli bərk məhlul kristallarında yaranan elektron xassələrinin xüsusiyyətləri aşkar edilib və araşdırılıb.
Göstərilib ki, almazabənzər A3B5 kristallarında ultrakvant rejimdə, elektronların aşqar ionlarından səpilməsi üstünlük təşkil edəndə, matrisada böyük neqativ uzununa maqnit müqaviməti müşaidə edilir. Yarımkeçirici bərk məhlul sistemlərinin verilmiş tərkibdə alınması, onların müxtəlif aşqar elementlərlə leqinə edilmə texnologiyaları və bu məsələlərin fiziki-riyazi əsasları geniş inkişaf etdirilib. Ərintidən bircinsli və dəyişən tərkibli yarımkeçirici bərk məhlul monokristallarının alanması üçün, bir sıra innovative üsulların kosepsiyaları və nəzəri əsasları verilib. |
|
| Elmi əsərlərinin adları | 1. Deep Impurity Levels in Ge-Si Alloys - Solid State Communication, 111 (1999), pp. 675-679.
2. Distribution of components in Ge-Si bulk single crystals grown under the continuous feeding of the melt with the second component - Journal of Crystal Growth, 226 (2001), pp. 437-442. 3. Distribution of components in Ge-Si bulk crystals grown by the zone leveling method - Chinese Journal of Physics, 41(2003), pp.79-84. 4. Segregation of Aluminum and Indium Impurities in Ge-Si Crystals - Inorganic Materials, 2007, Vol. 43, pp. 3-7. 5. The Directional Constitutional Supercooling of the Melt Method. Growth Dynamics of Compositionally Graded Ge-Si Single Crystals. Materials of 2011 Wold Congress on Engineering and Technology, Oct. 28-Nov.2, 2011, Shanghai, China, pp. 236-240. 6. Hybrid Technique for Growing Homogeneous Single Crystals of Semiconductor Solid Solutions from Melt- Crystallography Reports, 2014, Vol. 59, No. 3, pp. 442–445. 7. Agamaliev Z. A., Islamzade E. M., Azhdarov G.Kh. Modeling the distribution of Ga and Sb impurities in Ge-Si single crystals grown by double feeding of the melt: growth conditions for homogeneous single crystals. Crystallography Reports, 2016, Vol. 61, No. 2, pp. 327–330 8. Agamaliev Z. A., Kazimova V. K., Zakhrabekova Z. M., Azhdarov G.Kh. Modeling the concentration profiles aluminum and indium impurities in crystals of germanium-silicon solid solutions. Inorganic Materials, 2016, Vol. 52 No. 3, pp. 244–247 |
|
| Respublika, beynəlxalq və xarici ölkələrin elmi qurumlarında üzvlüyü | 1. 2011- 2012-ci illərə Azərbaycan Respublikası Prezidenti yanında Ali Attestasiya Komissiya-sının fizika üzrə ekspert şurasının sədri.
2. Milli Elmlər Akademiyasının “ Xəbərlər ” jurnalı Fizika- riyaziyyat və texnika elmləri seriyasının Fizika və Astronomiya buraxılışının redaksiya heyyətinin üzvü. 3. Elmlər Akademiyalarının Beynəlxalq Assosiasiyasının “Elektron texnikasının funksional materialları” Şurasının üzvü. |
|
| Pedaqoji fəaliyyəti | ||
| Digər fəaliyyəti | Böyük Britaniyada London, Oksford, Kembridj Universitetlərində və İsveçin Lund Universitetində uzun müddətli elmi ezamiyyətlərdə olmuş və birgə elmi-tədqiqat işləri aparmışdır. NATO- nun xüsusi Beynəlxalq elm fondunun qrantlarını qazanaraq Türkiyənin bir sıra Universitetlərində elmi iş aparmış və məruzələr oxumuşdur. | |
| Təltif və mükafatları | 1. AMEA-nın Fəxri Fərmanı.
2. Birləşmiş Veteranlar Şurasınım Fəxri Fərmanı. 3. ABİ-USA Gold Medal for Azerbaijan. |
|
| Əsas iş yeri və ünvanı | AMEA Fizika İnstitutu, AZ1143, Azərbaycan Respublikası, Bakı ş., H.Cavid pr., 131 | |
| Vəzifəsi | Laboratoriya rəhbəri | |
| Xidməti tel. | (+994 12) 5393218 | |
| Mobil tel. | ||
| Ev tel. | (+994 12) 5384503 | |
| Faks | (+994 12) 5395911 | |
| Elektron poçtu | zangi@physics.ab.az | |
