Əjdərov Hüsnü-Cəngi Xəlil oğlu

 

Anadan olduğu yer Azərbaycan Respublikası, Gəncə şəhəri 
Təvəllüdü 12.02.1941 
Bitirdiyi ali təhsil müəssisəsi Azərbaycan Dövlət Universiteti 
Elmi dərəcəsi Fizika - riyaziyyat elmləri doktoru 
Elmi rütbəsi Professor 
Namizədlik (PhD) dissertasiyasının mövzusu:

- ixtisas şifri

- ixtisasın adı

- mövzunun adı




01.04.10

Yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası

“Germanium-silisium bərk məhlul  monokristallarında dərin aşqar səviyyələrin tədqiqi” 
Doktorluq dissertasiyasının mövzusu:

- ixtisas şifri

- ixtisasın adı

- mövzunun adı



01.04.10

Yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası

“Aşqarlanmış germanium-silisium bərk məhlulları və A3B5 birləşmələri kristallarının qalvanomaqnit xassələri və əsas aşqar səviyyələrin enerji spektri” 
Çapdan çıxmış elmi əsərlərinin ümumi sayı

- xaricdə çıxmış elmi əsərlərinin sayı

- beynəlxalq bazalarda referatlaşdırılan və indeksləşdirilən jurnallarda çap olunan məqalələrin sayı

167

 

84


37


 
Müəlliflik şəhadətnamələrinin və patentlərin sayı 3
Kadr hazırlığı:     

- fəlsəfə doktorlarının sayı

- elmlər doktorlarının sayı


7

2

Əsas elmi nailiyyətləri Germanium-silisium kristallarında geniş sayda dərin və dayaz aşqar atomlarının əsas enerji hallarının spektri təyin edilib.Geniş temperatur intervalında Ge-Si sistemində sərbəst elektrik yük daşıyıcılarının səpilmə mexanizmləri və qanunauyğunluqları öyrənilib. Aşqar atomlarını əhatə edən nanohəcmlərin tərkibinin qeyri identivliyi ilə əlaqəli bərk məhlul kristallarında yaranan elektron xassələrinin xüsusiyyətləri aşkar edilib və araşdırılıb.

Göstərilib ki, almazabənzər A3B5 kristallarında ultrakvant rejimdə, elektronların aşqar ionlarından səpilməsi üstünlük təşkil edəndə, matrisada böyük neqativ uzununa maqnit müqaviməti müşaidə edilir.

Yarımkeçirici bərk məhlul sistemlərinin verilmiş tərkibdə alınması, onların müxtəlif aşqar elementlərlə leqinə edilmə texnologiyaları və bu məsələlərin fiziki-riyazi əsasları geniş inkişaf etdirilib.

Ərintidən bircinsli və dəyişən tərkibli yarımkeçirici bərk məhlul monokristallarının alanması üçün, bir sıra innovative üsulların kosepsiyaları və nəzəri əsasları verilib. 
Elmi əsərlərinin adları 1. Deep Impurity Levels in  Ge-Si Alloys - Solid State Communication, 111 (1999), pp. 675-679.

2. Distribution of components in Ge-Si bulk single crystals grown under the continuous feeding of the melt with the second component - Journal of Crystal Growth, 226 (2001), pp. 437-442.

3. Distribution of components in Ge-Si bulk crystals grown by the zone leveling method - Chinese Journal of Physics, 41(2003), pp.79-84.

4. Segregation of Aluminum and Indium Impurities in Ge-Si Crystals - Inorganic Materials,  2007, Vol.  43, pp. 3-7.

5. The  Directional Constitutional Supercooling of the Melt Method. Growth  Dynamics of  Compositionally Graded Ge-Si Single Crystals. Materials of  2011 Wold Congress on Engineering and Technology, Oct. 28-Nov.2, 2011, Shanghai, China, pp. 236-240.

6. Hybrid Technique for Growing Homogeneous Single Crystals of Semiconductor Solid Solutions from Melt- Crystallography Reports, 2014, Vol. 59, No. 3, pp. 442–445.

7. Agamaliev Z. A.,  Islamzade E. M., Azhdarov G.Kh. Modeling the distribution of Ga and Sb impurities in Ge-Si single crystals grown by double feeding of the melt: growth conditions for homogeneous single crystals. Crystallography Reports, 2016, Vol. 61, No. 2, pp. 327–330

8. Agamaliev Z. A., Kazimova V. K., Zakhrabekova Z. M., Azhdarov G.Kh. Modeling the concentration profiles aluminum and indium impurities in crystals of germanium-silicon solid solutions. Inorganic Materials, 2016, Vol. 52 No. 3,  pp. 244–247

Respublika, beynəlxalq və xarici ölkələrin elmi qurumlarında üzvlüyü  1. 2011- 2012-ci illərə  Azərbaycan Respublikası Prezidenti yanında  Ali Attestasiya Komissiya-sının fizika üzrə ekspert şurasının sədri.

2. Milli Elmlər Akademiyasının  “ Xəbərlər ” jurnalı Fizika- riyaziyyat və texnika elmləri seriyasının  Fizika və Astronomiya buraxılışının redaksiya heyyətinin  üzvü. 

3. Elmlər Akademiyalarının Beynəlxalq Assosiasiyasının “Elektron texnikasının funksional materialları”  Şurasının üzvü.    
Pedaqoji fəaliyyəti  
Digər fəaliyyəti  Böyük Britaniyada London, Oksford, Kembridj Universitetlərində və İsveçin Lund Universitetində uzun müddətli elmi ezamiyyətlərdə olmuş və birgə elmi-tədqiqat işləri aparmışdır. NATO- nun xüsusi Beynəlxalq elm fondunun qrantlarını qazanaraq Türkiyənin bir sıra Universitetlərində elmi iş aparmış və məruzələr oxumuşdur.  
Təltif və mükafatları 1. AMEA-nın Fəxri Fərmanı.

2. Birləşmiş Veteranlar Şurasınım Fəxri Fərmanı.

3. ABİ-USA Gold Medal for Azerbaijan.

Əsas iş yeri və ünvanı AMEA Fizika İnstitutu, AZ1143, Azərbaycan Respublikası, Bakı ş., H.Cavid pr., 131 
Vəzifəsi Laboratoriya rəhbəri 
Xidməti tel. (+994 12) 5393218 
Mobil tel.  
Ev tel. (+994 12) 5384503 
Faks (+994 12) 5395911 
Elektron poçtu zangi@physics.ab.az