Yarımkeçiricilərin radiasiya fizikası laboratoriyası

Tel. (+994 12) 5383224
Faks (+994 12) 5398318 
Elektron poçtu msrahim@mail.ru  
Struktur bölmənin rəhbəri Fizika-riyaziyyat elmləri doktoru, professor Mədətov Rəhim Səlim oğlu 
İşçilərin ümumi sayı
Əsas fəaliyyət istiqamətləri  Yarımkeçirici materialların radiasiyaya davamlılığının artırılma metodlarının işlənib hazırlanması; radiasiyaya davamlı cihazların elmi əsaslarının işlənməsi. 
Əsas elmi nəticələri Aııı Bvı binar birləşmələr əsasında GaS; GaSe; GaTe və İnSe laylı monokristalları alınmış və tədqiq edilmişdir. Alınmış nəticələr əsasında laylı yarımkeçiricilərdə radiasiya defektlərinin əmələgəlmə və dəmləmə mexanizmləri öyrənilmiş və radiasiyaya davamlılığın artırılma üsulları işlənilmişdir.

1. Müəyyən edilmişdir ki, GaS monokristalını 10-4 at % borla aşqarladıqda bor atomu qalliumun vakansiyalarını doldurmaqla kristalın elektrik keçiriciliyini azaldır, 102 at %-ilə aşqarladıqda isə laylararası oblastda toplanması nəticəsində keçiricilik artır.

2. GaS<B> monokristallarını γ-kvantları ilə şüalandırdıqda qadağan olunmuş zonada aşqar səviyyələrinin yenidən yüklənməsi nəticəsində əsas yükdaşıyıcıların yaşama müddətinin və foto həssas mərkəzlərin konsentrasiyasının artması hesabına fotohəssaslıq artır.

3. Müəyyən edilmişdir ki , 10-4 at % miqdarında daxil edilmiş bor atomu GaS mono kristalında laylara perependikulyar istiqamətdə ( "C" oxu istqamətində ) ion - kovalent rabitəni gücləndirməsi nəticəsində kristalın γ şüalarına qarşı davamlılığını artırır.

4. Borla aşqarlanmış GaS, GaSe, InSe monokristallarının elektrik və fotoelektrik xassələrinin tədqiqi nəticəsində müəyyən olunmuşdur ki, spektrin 0,3 - 2 mkm oblastında yüksək fotohəəssaslığa malik ionlaşdırıcı şüalanma qəbuledicilərinin yaradılmasında geniş perspektivlər yaranır.