Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyası

Azərbaycanın ilk veb saytı (1995)

ANA SƏHİFƏ  >>  İnstitut və təşkilatlar  >>  Yarımkeçiricilərin radiasiya fizikası laboratoriyası

Yarımkeçiricilərin radiasiya fizikası laboratoriyası
Tel.

(+994 12) 4383224

050 660 97 15

Faks (+994 12) 5398318 
Elektron poçtu msrahim@mail.ru  
Struktur bölmənin rəhbəri Mədətov Rəhim Səlim oğlu 

Fizika-riyaziyyat elmləri doktoru, professor 

İşçilərin ümumi sayı 13
Əsas fəaliyyət istiqamətləri  Yarımkeçirici materialların radiasiyaya davamlılığının artırılma metodlarının işlənib hazırlanması; radiasiyaya davamlı cihazların elmi əsaslarının işlənməsi.
Əsas elmi nəticələri

1. Aşqarlı (Yb, Er, Gd) və ilkin GaS və GaSe laylı monokristallarında radiasiya defektlərinin yaranma və dəmlənmə proseslərinin, həmçinin qamma-kvantlara qarşı davamlılıq mexanizmləri geniş temperatur, işıqlanma və elektrik sahə intensivliklərində müəyyən edilmişdir. Göstərilmişdir ki, kristalın kation və anion qəfəs altlarında yaranan radiasiya defektlərinin struktur və aşqar defektləri ilə qarşılıqlı təsiri nəticəsində baş verən radiasiya-stimullaşdırıcı proseslər laylı kristalların elektrik, optik və fotoelektrik xassələrini məqsədyönlü idarə edilməsinə  və onlar əsasında effektiv fotoqəbuledicilərin və fotoçeviricilərin hazırlanmasına imkan  verir.

2.Müəyyən edilmişdir ki, laylı GaS(Yb,Sm) kristallarının udulma zolağında fotokeçiriciliyi, xarici elektrik sahəsinin təsiri ilə, səthin  energetik səviyyələrinin qeyri-hamar potensialının  nizamlanması nəticəsində yaranır. Səth potensialının hamarlanma dərəcəsi şüalanma dozasından, aşqar atomlarının konsentrasiyasından və xarici sahənin qiymət və istiqamətindən asılıdır.

3. Laylı GaS: Yb monokristalının səthində ölçüləri ~ 30-40 nm və periodikliyi ~16 nm  olan defektlərin qeyri-hamar paylanması  yüklü zərrəciklərlə və qamma kvantlarla şüalanma dozasından və aşqarlanma dərəcəsindən asılıdır.  Şüalanma dozasının və aşqar atomlarının konsentrasiyasının artması ilə qeyri-hamarlığın həcmi eksponensial qanunla azalır.