Yarımkeçirici strukturların fotoelektrik və optik diaqnostikası

Tel. (+994 12) 5391105 
Faks (+994 12) 5395961  
Elektron poçtu ozalekperov@physics.ab.az  
Struktur bölmənin rəhbəri Ələkbərov Oqtay Zeynal oğlu 
İşçilərin ümumi sayı
Əsas fəaliyyət istiqamətləri 

Yarımkeçirici strukturların  diaqnostikası

Əsas elmi nəticələri 1) İlk dəfə olaraq uzun müddətli γ –şüalanmanın nəticəsidə kristalın qəfəs qurluşunda struktur dəyişikliyinin baş verməsinin mümkünlüyü gostərilmişdir. Monoklin TlInSkristallarının γ şüaları ilə böyük dozada (~1500 Mrad və daha çox) şüalandırılması kristalın səthində monoklin → heksaqonal struktur–faza keçidinə səbəb olur.

İlk dəfə olaraq müəyyən edilmişdir ki, aşqar ilə legirə olunmuş kristallarda aşqar        potensialının fluktuasiyaları ilə yanaşı, optic parametrlərin da, o cümlədən sındırma əmsalının, və beləliklə dielektrik nüfuzluğunun da ()  flüktasiyaları yaranır.

2) İon rabitəli Ag2S yarımkeçirici kristalında temperaturun artması (Т=311К) əvvəlcə Ag(1) altqəfəsdə “əriməsi” (FK1) , daha yüksək temperaturlarda isə (Т>400К) Ag(2) əriməsi ilə (FK2) müşahidə olunur. Bu da superion keçiriciliyin kəskin artmasına səbəb olaraq super ion keçiriciliyinin doymasına gətirir. Nəticədə ion keçiriciliyi elekrton keçiriciliyi ilə əvəz olunur. İon keçiriciliyinin artması dielektrik keçiriciliyinin 10^7 və daha çox qiymətinə qədər artması ilə müşahidə olunur.