Cəfərova Elmira Əsəd qızı

 

Anadan olduğu yer Naxçıvan şəhəri 
Təvəllüdü 07.06.1937 
Bitirdiyi ali təhsil müəssisəsi Moskva Dövlət Universiteti, fizika fakültəsi 
Elmi dərəcəsi Fizika-riyaziyyat elmləri doktoru 
Elmi rütbəsi Dosent 
Namizədlik (PhD) dissertasiyasının mövzusu:

- ixtisas şifri

- ixtisasın adı

- mövzunun adı



01.04.10

Yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası

Diffuziya yolu ilə alınmış n- və p- bazalı silisium diodlalinin reaktiv xassələrinin tədqiqi

Doktorluq dissertasiyasının mövzusu:

- ixtisas şifri

- ixtisasın adı

- mövzunun adı



01.04.04  

Fiziki elektronika

Dərin aşqar səviyyəli germanium, silisium və onlar əsasında çəpər quruluşlarda qeyri- stasionar elektron prosesləri 

Çapdan çıxmış elmi əsərlərinin ümumi sayı

- xaricdə çıxmış elmi əsərlərinin sayı

- beynəlxalq bazalarda referatlaşdırılan və indeksləşdirilən jurnallarda çap olunan məqalələrin sayı

140    

 

50     


30                                                                     
Müəlliflik şəhadətnamələrinin və patentlərin sayı 5
Kadr hazırlığı:     

- fəlsəfə doktorlarının sayı

- elmlər doktorlarının sayı

 

3
Əsas elmi nailiyyətləri 1. Qeyri-stasionar tutum spektroskopiyası, fototutum, electron paramaqnit rezonansı metodları ilə Si və  Ge əsasında hazırlanmış, keçid  metallarının ( Ni, W,Ti və Ta)  dərin aşqarları daxil edilmiş p-n və MDY quruluşlarında electron prosesləri kompleks şəkildə tədqiq edimişdir.

2. İlk dəfə olaraq Al-SiO2-nSi- Me quruluşlarında elektrik sahəsi tətbiq etməklə Al kanalı vasitəsilə p- n keçid alınmasının mümkünlüyü göstərilmiş və electron- mikroskopik tədqiqatlar vasitəsilə təsdiq olunmuşdur. n-Si əsasında elektrik müqaviməti aşırıçısı hazırlanma üsulu təklif olunmuş və gərginlik qida mənbəyi dövrədən çıxarıldıqdan sonra informasiyanı saxlamağa imkan nerən yaddaş oyuğu hazırlanmışdır.

3. İn2O3-SiO2-pSi-Me quruluşlarında işığa həssalığın gərginlik vasitəsilə idarə olunması imkanı göstərilmişdir.

Elmi əsərlərinin adları 1. Investigation of p-n junctions n- Si obtained by electromigration of Al through a thin SiO2film. Sol. State Commun. 1984,v. 49, №3, p.273-278, №3,c.52 

2. Исследование влияния электронного облучения на структуру GaSe-SiO2  ФТП, 2002, т.36, №7, с.858-860

3. Диэлектрические свойства пленок SiOx переменного состава  Fizika 2008, том.14, №3,с.52,

4. Влияние электроактивного никеля на свойства Ni.Неорганические  материалы , 2010, т.46, вып.10, с. 1163-1166,

5. Влияние эмиттерного тока на свойства коллекторного перехода Si и Ge структур. Неорганические материалы, 2012, том.47,№3, с. 261265

6. Jafarova E.A, Z.Y.Sadygov, F.I.Ahmadov, A.Z.Sadyqov, A.A.Dovlatov, L.A.Aliyeva, E.S.Tapdyqov Features of barrier capacitance mikropixel avalanche Photodiodes at different frequencies. Universal journal of Physics and Applications,2016 , v. 10 ,№1,p 1-4
Respublika, beynəlxalq və xarici ölkələrin elmi qurumlarında üzvlüyü   
Pedaqoji fəaliyyəti 1977-1985 - Azərbaycan Texniki Universiteti, elektronika kafedrasında müəllim 
Digər fəaliyyəti  AMEA Fizika İnstitutu Elmi Şuranın üzvü  
Təltif və mükafatları Grantlar:

1. Azərbaycan MEA və -Belarus MEA-nin birgə layihəsi”CuIn(Ga)Se2halkopirit yarımkeçirici materiallar əsasında naziktəbəqəli günəş elementlərinin alınması və tədqiqi” 2009-2011-ci illər

2. UETM regulyar layihəsi ”Halkopirit quruluşlu Cu(InGa)(SSe)2 materiallar əsasında naziktəbəqəli günəş elementlərinin alınması və tədqiqi” 2012-2014-ci illər

Əsas iş yeri və ünvanı AMEA Fizika İnstitutuAZ1143, Bakı ş., H.Cavid pr., 131
Vəzifəsi Laboratoriya rəhbəri 
Xidməti tel. (+994 12) 5394057
Mobil tel. (+994 51) 8875253 
Ev tel. (+994 12) 4408322
Faks  
Elektron poçtu celmira1@rambler.ru