Abdullayev Nadir Allahverdi oğlu

 

Veb-sayt

https://scholar.google.com/citations?user=_c54pF0AAAAJ&hl=ru

 
Anadan olduğu yer Bakı şəhəri 
Təvəllüdü 01.11.1955 
Bitirdiyi ali təhsil müəssisəsi Moskva Dövlət Universiteti
Elmi dərəcəsi Fizika üzrə elmlər doktoru
Elmi rütbəsi dosent
Namizədlik (PhD) dissertasiyasının mövzusu:

-         ixtisas şifri

-         ixtisasın adı

-         mövzunun adı

 

 

01.04.10

Yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası

Laylı kristalların istilikdən genişlənməsinin xüsusiyyətləri

Doktorluq dissertasiyasının mövzusu:

-         ixtisas şifri

-         ixtisasın adı

-         mövzunun adı

 

 

01.04.10

Yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası

Güclüanizotrop kristallarda fonon proseslərinin və yükdaşıyıcıların lokallaşma effektlərinin xüsusiyyətləri

Çapdan çıxmış elmi əsərlərinin ümumi sayı

-         xaricdə çıxmış elmi əsərlərinin sayı

-         beynəlxalq bazalarda referatlaşdırılan və indeksləşdirilən jurnallarda çap olunan məqalələrin sayı

121

 

77

 

41

 
Müəlliflik şəhadətnamələrinin və patentlərin sayı  
Kadr hazırlığı:     

-         fəlsəfə doktorlarının sayı

-         elmlər doktorlarının sayı


2

Əsas elmi nailiyyətləri

Klassik laylı kristalda – qrafitdə lay müstəvisində mənfi istilikdən genişlənmənin və istilikkeçirilməsində "istilik anomaliyasının" "membran" effekti əsasında izahı verilmişdir. GaS, GaSe, InSe, TlGaSe2 və b. laylı kristalarda lay müstəvisində mənfi istilikdən genişlənməsi aşkar olunub və izahı verilib.

TlGaSe2 və TlInS2 kristalların istilikdən genişlənməsinə xarici şüalanmanın və tətbiq olunan elektrik sahənin təsirindən istilik xassələrində elektron altsisteminin mühüm rolu müəyyən edilmişdir.

Bir sıra laylı kristallarda (yarımkeçiricilərdə, yarımmetallarda və metallarda) geniş temperatur intervalda 0,3-300К və güclü magnit sahələrdə 8Tl-qədər laylar boyunca və perpendikulyar istiqamətdə yükdaşıyıcıların köçürülmə xüsusiyyətləri tədqiq olunub. Alınan nəticələr lokallaşma hallar üzrə sıcrayış keçiricilik, zəif lokallaşma və zəif antilokallaşma effektləri nəzəri almaqla izah olunub.

Bir sıra nazik təbəqəli strukturlar (Bi2Te2,7Se0,3, InAs0,56Sb0,44 və s.) alınıb və onlarda bəzi fiziki prosseslər (rentgen difraksiyası, raman səpilməsi, elektron microscopiyası, spektal ellipsometriya, elektrik və qalvanomaqnit effektlər və s. ) öyrənilib.

Elmi əsərlərinin adları Elmi işlər arasında qeyd etmək olar:

1. G.L.Belenki, E.Yu.Salaev, R.A.Suleimanov and N.A.Abdullaev. The nature of temperature dependence of energy gaps in layer semiconductors. Solid State Commun., 47, 263 (1983).

2. Г.Л. Беленький, Р.А. Сулейманов, Н.А. Абдуллаев,

В.Я. Штейншрайбер. Тепловое расширение слоистых кристаллов. Модель Лифшица. Физика твёрдого тела, 26, 3560 (1984).

3. Г.Л. Беленький, Н.А. Абдуллаев, В.Н. Зверев, В.Я. Штейншрайбер. Природа анизотропии проводимости и особенности локализации электронов в слоистом селениде индия. Письма в ЖЭТФ, 47, 498 (1988).

4. Н.А. Абдуллаев. Параметры Грюнайзена в слоистых кристаллах. Физика твёрдого тела, 43, 697 (2001).

5. Н.А. Абдуллаев. Особенности упругих свойств слоистых кристаллов. Физика твёрдого тела, 48, 623 (2006).

Respublika, beynəlxalq və xarici ölkələrin elmi qurumlarında üzvlüyü   
Pedaqoji fəaliyyəti

1992-1995

Digər fəaliyyəti   
Təltif və mükafatları  
Əsas iş yeri və ünvanı AMEA Fizika İnstitutu, Bakı, AZ1134, H. Cavid pr., 131
Vəzifəsi Laboratoriya rəhbəri 
Xidməti tel. (+994 12) 5395163
Mobil tel. (+994 55) 7998810
Ev tel. (+994 12) 5614229 
Faks  
Elektron poçtu abnadir@physics.ab.az