Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyası

Azərbaycanın ilk veb saytı (1995)

ANA SƏHİFƏ  >>  Fizika İnstitutunun fəlsəfə doktorları

Həsənov Anar İbrahim oğlu

 

Anadan olduğu yer Ermənistan Respublikası, Basarkeçər r.
Təvəllüdü 09.06.1976 
Bitirdiyi ali təhsil müəssisəsi BDU 
Elmi dərəcəsi Fizika üzrə fəlsəfə doktoru 
Elmi rütbəsi  
Namizədlik (PhD) dissertasiyasının mövzusu:

- ixtisas şifri

- ixtisasın adı

- mövzunun adı



01.04.10

Yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası

TlGa1-XMXS2(Se2), (M=Fe,Co,) monokristallarının elektrik və optik xassələri

Çapdan çıxmış elmi əsərlərinin ümumi sayı

- xaricdə çıxmış elmi əsərlərinin sayı

- beynəlxalq bazalarda referatlaşdırılan və indeksləşdirilən jurnallarda çap olunan məqalələrin sayı

38

 

20

 

7
Müəlliflik şəhadətnamələrinin və patentlərin sayı  
Kadr hazırlığı:     

- fəlsəfə doktorlarının sayı

 
Əsas elmi nailiyyətləri

İlk dəfə olaraq, TlGaS2(Se2) laylı kristalları əsasında gallium atomunun qismən dəmir və kobalt atomları ilə kation əvəzləməsi nəticəsində yeni bərk məhlulların alınma rejimi işlənmış və bu tərkib dəyişməsinin elektrik, fotoelektrik, termoelektrik və optik xassələrə təsiri tədqiq olunmuşdur.

TlGaSe2-TlFeSe2, TlGaS2–TlCoS2 və TlGaSe2-TlCoSe2 sistemlərinin hal diaqramması qurulmuşdur və göstərilən sistemlərə uyğun müxtəlif tərkibli birləşmələr sintez olunmuşdur. TlGa1-xFexSe2, TlGa1-x CoxS2 və TlGa1-xCoxSe2 (x=0,001; 0,005; 0,01) bərk məhlul sistemlərinin böyuk ölçülü bircins monokristalları yetişdirilmişdir.

Sabit elektrik sahəsində T<250K temperaturlarda laylı TlGa0,99Fe0,01Se2 monokristallarında laylara perpendikulyar istiqamətdə sıçrayışlı keçiricilik müəyyən edilmişdir. Bu tip keçiricilik Fermi səviyyəsinin yaxınlığında lokallaşmış enerji səviyyələrində sıçrayışların boyunun dəyişməsi ilə baş verdiyi müəyyənləşdirilmişdir.

Elmi əsərlərinin adları 1. Гасанов А.И. Фазовые переходы в монокристаллах TlGa1-xCоxS2/ Сборник трудов всероссийской школы-семинара молодых ученых «Физика фазовых переходов» Махачкала, Россия. 2003. с. 8.

2. Мустафаева С.Н., Гасанов А.И. Релаксационные явления в монокристаллах TlGa0,99Fe0.01Se2// Физика твердого тела, 2004, т. 46, в. 11, с.1937-1941.

3. Kerimova E.M., Mustafaeva S.N., Jabbarly A.I., Sultanov G., Hasanov A.I., Kerimov R.N. New magnetic semicondutors on the base of TlBVI-MeBVI systems (Me-Fe, Co, Ni, Mn; B-S, Se, Te) // Physics of Spin in Solids: Materials, Methods and Applications. NATO Science Series: II Mathematics, Physics and Chemistry. 2004, v.156, p.195-206.

4. Mustafaeva S.N., Hasanov A.I. High-frequency dielectric measurements on TlGa1-xFexSe2 single crystals // Energetikanin problemləri, 2005, № 1, s.101-105.

5. Гасанов Н.З., Керимова Э.М., Гасанов А.И, Асадов Ю.Г. Оптические свойства и параметры кристаллической решетки твердых растворов TlGa1-xFexSе2// Физика Низких Температур. 2007, т.33, №1, с. 115-118.

6. Mustafaeva S.N., Hasanov N.Z., Hasanov A.I. Frequency-dependent dielectric properties of TlGa1-xCoxSe2 single crystals.// Fizika, 2007, Cild XIII, №4, s. 95-98.

7. Керимова Э.М., Гасанов А.И. Фотоэлектрические и оптические свойства монокристаллов твердых растворов. (TlGaS2)1-x(TlInSe2)x. Известия НАН Азербайджана, серия физ.-мат. и тех. наук, 2009, №5, Т.XXIX C.123-128.

8. Kərimova E.M. Həsənov N.Z. Hüseynova K.M. İsayeva A.Ə., TlInS2 və TlGaSe2 birləşmələrində In və Ga atomlarının Dy atomlarla qismən əvəz edilməsinin onların fiziki xassələrinə təsiri. Fizika, 2012, cild XVIII, №2, section: Az. S.36-38

Respublika, beynəlxalq və xarici ölkələrin elmi qurumlarında üzvlüyü   
Pedaqoji fəaliyyəti  
Digər fəaliyyəti   
Təltif və mükafatları  
Əsas iş yeri və ünvanı AMEA Fizika İnstitutuAZ1143, Bakı ş., H.Cavid pr., 131
Vəzifəsi Elmi işçi
Xidməti tel. (+994 12) 5395913 
Mobil tel. (+994 55) 2030014 
Ev tel. (+994 12) 5693055  
Faks (+994 12) 5395961 
Elektron poçtu anarturan@gmail.com