Anadan olduğu yer | Şamaxı şəhəri | |
Təvəllüdü | 29.07.1980 | |
Bitirdiyi ali təhsil müəssisəsi | Bakı Dövlət Universiteti | |
Elmi dərəcəsi | Fizika üzrə fəlsəfə doktoru | |
Elmi rütbəsi | ||
Namizədlik (PhD) dissertasiyasının mövzusu:
- ixtisas şifri - ixtisasın adı - mövzunun adı |
01.04.10 Yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası Kompleks legirə olunmuş Ge-Si <Cu, Ga, Sb>kristalların alınması və elektrik xassələri |
|
Çapdan çıxmış elmi əsərlərinin ümumi sayı
- xaricdə çıxmış elmi əsərlərinin sayı - beynəlxalq bazalarda referatlaşdırılan və indeksləşdirilən jurnallarda çap olunan məqalələrin sayı |
14 5 2 |
|
Müəlliflik şəhadətnamələrinin və patentlərin sayı | ||
Kadr hazırlığı:
- fəlsəfə doktorlarının sayı |
||
Əsas elmi nailiyyətləri | Riyazi modelləşdirmə üsulu ilə müxtəlif aşqarlar ilə leqirə olunmuş Ge-Si və AIII-BV tipli birləşmələrinin bərk məhlull yarımkeçirici kristalların Çoxralski, Bricmen metodlar və onların bir neçə modifikasiyalar ilə alınması üçün göyərdilmə optimal rejimləri tapılmışdır. | |
Elmi əsərlərinin adları | 1. Губатова Л.А. Моделирование распределения примеси галлия в кристаллах кремния и германия, выращенных методом подпитки расплава / Тезисы конференции аспирантов НАНА. Баку: 2004, с. 25-28.
2. Azhdarov G. Kh., Gubadova L.A., Kazimova V.K., Mustafaeva K.M. Mathematical modeling of the compositional variation in Si-Ge grown by vertical Bridgman method using Ge seed and Si source crystals / Second Inter. Confr. Techn. and Phys. Problems in Power Engin. Tabriz: 2004, pp. 392-394. 3. Аждаров Г.Х., Захрабекова З.М., Кязимова В.К., Губатова Л.А. Концентрационный профиль мелких акцепторных примесей в кристаллах Ge-Si, выращенных модернизированным методом Бриджмена / Матер. Международной Конференции «Физика-2005». Баку: 2005, с. 245-247. 4. Gubatova L.A., Azhdarov G.Kh., Zeynalov Z.M. Axial Ga – impurity distribution in Ge-Si, solid solutions, crown by the modernized Bridgmen method // Fizika, 2005, v. XI, № 1-2, pp. 28-30. 5. Губатова Л. А. Концентрационный профиль примеси галлия в кристаллах Ge-Si, выращенных методом Бриджмена с использованием германиевой затравки / Материалы Науч. Конф. Аспиран. Национ. Акад. Наук Азербайджана. Баку: 2005, с. 19-20. 6. Аждаров Г.Х., Зейналов З.М., Губатова Л.А. Распределение примесей Ga и Sb в кристаллах Ge-Si, выращенных методом Бриджмена / XII Нац. Конф. по росту кристаллов. Москва: 2006, c. 201. 7. Аждаров Г.Х., Зейналов З.М.,Гусейнли Л.А. Закономерности распределения примесей Ga и Sb в кристаллах Ge-Si с однородным и переменным составами, выращенных из расплава / Пятая меж. науч.-тех. конф. “Актуальные проблемы физики”, т.2. Баку: 2008, с.37-39. 8. Azhdarov G.Kh., Zeynalov Z.M., Huseynli L.A. The Distribution of Ga and Sb impurities in Ge-Si crystals grown by the Bridgman method using a feeding rod // Crystallography Reports, 2009, v. 54, № 1, pp. 150-163. 9. Гусейнли Л.А., Зейналов З.М., Агамалиев З.А., Аждаров Г.Х. Распределение примеси Ga воднородных монокристаллах Ge-Si, выращенных методом Чохральского из подпитываемого расплава // Изв. НАН Азерб., серия физ.-мат. и тех. наук, 2009, cild XII, №3, c. 153-156. 10. Гусейнли Л.А. , Зейналов З.М., Зохраббекова З.М., Аждаров Г.Х. Глубокий акцепторный комплекс, связанный с примесью меди в термообработанных кристаллах Ge1-xSix(Cu, Ga) // Изв. НАН Азерб., серия физ.-мат. и тех. наук, 2010, т. 30, №5, с. 100-105. 11. Azhdarov G.Kh., Zeynalov Z.M., Kyazimova V.K., Huseynli L.A. Deep donor center in Ge1-xSix(Cu,In,Sb) at 1050-1080 К // Inorganic Materials, 2010, v. 46, №12, pp. 1418-1422. 12. Аждаров Г.Х., Зейналов З.М., Гусейнли Л.А., Агамалиев З.А. Глубокий акцепторный комплекс в сложнолегированных кристаллах Ge1-xSix<Cu,Ga> / НКРК-2010,Тезисы докладов, т.1. Москва: ИК РАН, 2010, c. 270-271. 13. Гусейнли Л.А., Зейналов З.М., Кязимова В.К., Аждаров Г.Х.. Подвижность электронов в германиеподобных кристаллах Ge-Si <Cu,Ga,Sb> // Изв. НАН Азерб., серия физ.-мат. и тех. наук, 2011, v. XXXI, №2, c. 12-16. *Примечание: в первых шести научных работах автор представлен девичьей фамилией - Губатова |
|
Respublika, beynəlxalq və xarici ölkələrin elmi qurumlarında üzvlüyü | ||
Pedaqoji fəaliyyəti | ||
Digər fəaliyyəti | ||
Təltif və mükafatları | ||
Əsas iş yeri və ünvanı | AMEA Fizika İnstitutu, AZ1143, Bakı ş., H.Cavid pr., 131 | |
Vəzifəsi | Böyük elmi işçi | |
Xidməti tel. | ||
Mobil tel. | (+994 55) 7933848 | |
Ev tel. | (+994 12) 5396939 | |
Faks | ||
Elektron poçtu | sadiqe.leysan@gmail.com |