Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyası

Azərbaycanın ilk veb saytı (1995)

ANA SƏHİFƏ  >>  Fizika İnstitutunun fəlsəfə doktorları

Hüseynli Ləman Əliabbas qızı

 

Anadan olduğu yer Şamaxı şəhəri   
Təvəllüdü 29.07.1980 
Bitirdiyi ali təhsil müəssisəsi Bakı Dövlət Universiteti 
Elmi dərəcəsi Fizika üzrə fəlsəfə doktoru 
Elmi rütbəsi  
Namizədlik (PhD) dissertasiyasının mövzusu:

- ixtisas şifri

- ixtisasın adı

- mövzunun adı

 

01.04.10

Yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası

Kompleks legirə olunmuş Ge-Si <Cu, Ga, Sb>kristalların alınması və elektrik xassələri
Çapdan çıxmış elmi əsərlərinin ümumi sayı

- xaricdə çıxmış elmi əsərlərinin sayı

- beynəlxalq bazalarda referatlaşdırılan və indeksləşdirilən jurnallarda çap olunan məqalələrin sayı

14

5


Müəlliflik şəhadətnamələrinin və patentlərin sayı  
Kadr hazırlığı:     

- fəlsəfə doktorlarının sayı

 
Əsas elmi nailiyyətləri Riyazi modelləşdirmə üsulu ilə müxtəlif aşqarlar ilə leqirə  olunmuş Ge-Si və AIII-BV tipli birləşmələrinin bərk məhlull yarımkeçirici kristalların Çoxralski, Bricmen metodlar və onların bir neçə modifikasiyalar ilə alınması üçün göyərdilmə optimal rejimləri tapılmışdır. 
Elmi əsərlərinin adları 1. Губатова Л.А. Моделирование распределения примеси галлия в кристаллах кремния и германия, выращенных методом подпитки расплава / Тезисы конференции аспирантов НАНА. Баку: 2004, с. 25-28.

2. Azhdarov G. Kh., Gubadova L.A., Kazimova V.K., Mustafaeva K.M. Mathematical modeling of the compositional variation in Si-Ge grown by vertical Bridgman method using Ge seed and Si source crystals / Second Inter. Confr. Techn. and Phys. Problems in Power Engin. Tabriz: 2004, pp. 392-394.

3. Аждаров Г.Х., Захрабекова З.М., Кязимова В.К., Губатова Л.А. Концентрационный профиль мелких акцепторных примесей в кристаллах Ge-Si, выращенных модернизированным методом Бриджмена / Матер. Международной Конференции «Физика-2005». Баку: 2005, с. 245-247.

4. Gubatova L.A., Azhdarov G.Kh., Zeynalov Z.M. Axial Ga – impurity distribution in Ge-Si, solid solutions, crown by the modernized Bridgmen method // Fizika, 2005, v. XI, № 1-2, pp. 28-30.

5. Губатова Л. А. Концентрационный профиль примеси галлия в кристаллах Ge-Si, выращенных методом Бриджмена с использованием германиевой затравки / Материалы Науч. Конф. Аспиран. Национ. Акад. Наук Азербайджана. Баку: 2005, с. 19-20.

6. Аждаров Г.Х., Зейналов З.М., Губатова Л.А. Распределение примесей Ga и Sb в кристаллах Ge-Si, выращенных методом Бриджмена / XII Нац. Конф. по росту кристаллов. Москва: 2006, c. 201.

7. Аждаров Г.Х., Зейналов З.М.,Гусейнли Л.А. Закономерности распределения примесей Ga и Sb в кристаллах Ge-Si с однородным и переменным составами, выращенных из расплава / Пятая меж. науч.-тех. конф. “Актуальные проблемы физики”, т.2. Баку: 2008, с.37-39.

8. Azhdarov G.Kh., Zeynalov Z.M., Huseynli L.A. The Distribution of Ga and Sb impurities in Ge-Si crystals grown by the Bridgman method using a feeding rod // Crystallography Reports, 2009, v. 54, № 1, pp. 150-163.

9. Гусейнли Л.А., Зейналов З.М., Агамалиев З.А., Аждаров Г.Х. Распределение примеси Ga воднородных монокристаллах Ge-Si, выращенных методом Чохральского из подпитываемого расплава // Изв. НАН Азерб., серия физ.-мат. и тех. наук, 2009, cild XII, №3, c. 153-156.

10. Гусейнли Л.А. , Зейналов З.М., Зохраббекова З.М., Аждаров Г.Х. Глубокий акцепторный комплекс, связанный с примесью меди в термообработанных кристаллах Ge1-xSix(Cu, Ga) // Изв. НАН Азерб., серия физ.-мат. и тех. наук, 2010, т. 30, №5, с. 100-105.

11. Azhdarov G.Kh., Zeynalov Z.M., Kyazimova V.K., Huseynli L.A. Deep donor center in Ge1-xSix(Cu,In,Sb) at 1050-1080 К // Inorganic Materials, 2010, v. 46, №12, pp. 1418-1422.

12. Аждаров Г.Х., Зейналов З.М., Гусейнли Л.А., Агамалиев З.А. Глубокий акцепторный комплекс в сложнолегированных кристаллах Ge1-xSix<Cu,Ga> / НКРК-2010,Тезисы докладов, т.1. Москва: ИК РАН, 2010, c. 270-271.

13. Гусейнли Л.А., Зейналов З.М., Кязимова В.К., Аждаров Г.Х.. Подвижность электронов в германиеподобных кристаллах Ge-Si <Cu,Ga,Sb> // Изв. НАН Азерб., серия физ.-мат. и тех. наук, 2011, v. XXXI, №2, c. 12-16.

*Примечание: в первых шести научных работах автор представлен девичьей фамилией - Губатова

Respublika, beynəlxalq və xarici ölkələrin elmi qurumlarında üzvlüyü   
Pedaqoji fəaliyyəti  
Digər fəaliyyəti   
Təltif və mükafatları  
Əsas iş yeri və ünvanı AMEA Fizika İnstitutuAZ1143, Bakı ş., H.Cavid pr., 131
Vəzifəsi Böyük elmi işçi 
Xidməti tel.  
Mobil tel. (+994 55) 7933848  
Ev tel. (+994 12) 5396939 
Faks  
Elektron poçtu sadiqe.leysan@gmail.com